GaN 是第三代半导体材料的杰出代表，其在高频、大功率半导体芯片领域应用市场巨大；GaN基电子器件是电力电子和微波射频器件的“核芯”，是全球战略竞争新的制高点。GaN材料相比于 Si 和SiC 具有更高的电子迁移率、饱和电子速度和击穿电场，

 

由于材料上的优势，GaN功率器件可以实现更小的导通电阻和栅极电荷(意味着更优秀的传导和开关性能)。因此GaN功率器件更适合于高频应用场合，对提升变换器的效率和功率密度非常有利。

 

時科GaN新品登场

 

時科作为全球知名的半导体分立元器件厂商，为满足市场需求，推出新品GaN整合IC  SKGI8020、SKGI8120，为65W PD快充提供更佳的解决方案。

時科GaN整合IC采用三合一芯片，整合控制器、驱动器、HEMT；支持二次侧控制；支持最小化PCB、减少搭配问题，实现最佳性价比。

時科GaN整合IC采用贴片式的 QFN 8X8 包装，使 Lead Frame 裸露。上件后使裸露的 Exposed Pad 与电路板贴合，达到散热的目的。芯片提高1~5倍高压开关切换频率，兼顾EMI与减少切换损失。

時科合封氮化镓芯片整合被动元件置系统，降低零件成本费用。通过将驱动级、控制器、HEMT整合，可以更方便应用，使效能最佳化，并且能最小化快充适配器体积，外部元件可减少15%，PCB面积可小30%。

 

SKGI8020

 

時科 SKGI8020 是一款具有整合高压 GaN 晶体管的AC/DC控制器方案，可实现高效能运行。该方案提供高效能、低成本反激电源，可以将70W升压至100W。

時科 SKGI8020 实现了启动控制器和脉冲隔离接口，以达到完成启动一次侧或二次侧。使用二次侧可以改善瞬态响应以及管理负载接口。

 

SKGI8120

 

時科 SKGI8020 和 SKGI8120 均针对使用基于隔离器的反馈的传统反激式架构开发。可以在 100~500kHz 范围内工作，以在使用传统系统架构的同时优化变压器尺寸和功率密度。相比 SKGI8020，時科 SKGI8120 采用 QFN4x4 封装，使用外部 HEMT。